Stand: 2004-03

Thomas Mertin
Netzwerk- und Elektrotechnik
D-41334 Nettetal

Bei t = 0K (-272°C) verhält sich eigenhalbleitendes Germanium Ge und Silizium Si wie ein Isolator.

Grund: Elektronen fest an Atomrümpfe gebunden.

Bei t > 0K:
-> Energie der Atome nimmt zu
-> Atome beginnen zu schwingen
-> Übertragung der Energie an die Valenzelektronen
-> Valenzelektronen wechseln von Valenz- ins Leitungsband

Entstehung von Elektronen e^- und "Löchern" e⁺

Elektronen e^- im Leitungsband und "Loch" e⁺ im Valenzband => Generation
Beim Rückfall des Elektrons spricht man von Rekombination.

Nach den Vorgang der Generation:
=> Atom hat positive Überschußladung (Ion)
=> "Loch" kann von einem Elektron eines Nachbaratoms besetzt werden.
=> positives Atom wieder neutral
=> das Nachbaratom jetzt positiv

Die Bewegung der Elektronen und "Löchern" erfolgt im Kristall ungerichtet. Durch Anlegen eines elektrischen Feldes wandern die e^- nach + und e⁺ nach -.

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