Stand: 2004-03
Thomas Mertin
Netzwerk- und Elektrotechnik
D-41334 Nettetal
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Ersatzschaltbild:
UB2B1 (Interbasisspannung ) ≅ 10V
Der Gesamtwiderstand RBB (einige kΩ) des UJT's läßt sich aufteilen in RB1 und RB2. Das Verhältnis von RB1 und RB2 ist abhängig von der Anordnung des Emitters.
Daraus folgt:
υ = 0,6...0,8
Beim Anlegen von UB1B2 ergeben sich zwei Fälle:
1. Emitterstrom IE = 0A
Es fließt ein kleiner Elektronenstrom über das n-dotierte Material von B1 nach B2. Die Größe des Interbasisstromes ist abhängig von: UB2B1 und RBB
2. Emitterstrom IE ≠ 0A
UEB1 wird angelegt
Strecke E-B1 zeigt das Verhalten einer Diode in Durchlaßrichtung
Solange UEB1 < υ* UB2B1 bleibt die Emitterdiode DE gesperrt (nur Sperrstrom IE ≅ 20nA fließt). Wenn UEB1 > UF + υ* UB2B1 wird DE in Durchlaßrichtung betrieben.
Es fließt ein Emitterstrom IE (Ladungsträger werden injiziert)
RB1 wird kleiner
Leitfähigkeit des n-Gebietes zwischen E-B1 wird vergrößert.
Höckerspannung:
wenn RB1 kleiner wird, dann wird υ kleiner
=> UEB1 geringer
=> IE wird größer, als vorher bei größer UEB1
Fazit: Verhalten von RB1 weist auf negativen differentiellen Widerstand hin.
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